中科院院士汤定元逝世,享年100岁

来源:    关键词:汤定元, 半导体院士,    发布时间:2019-06-04

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2019年6月3日10时40分,我国著名物理学家、半导体学科创始人之一、红外学科奠基者、中国科学院院士、九三学社社员、中国科学院上海技术物理研究所研究员汤定元先生,因病医治无效,在上海华东医院与世长辞,享年100岁。

汤定元院士1920年5月12日出生于江苏金坛,1942年毕业于重庆中央大学物理系,1950年获美国芝加哥大学物理系硕士学位。1951年6月回国,先后在中国科学院物理所、半导体所和上海技术物理研究所工作,1991年当选为中国科学院学部委员(院士)。曾任第六、第七届全国政协常委,九三学社第七、第八届中央委员会委员,上海技术物理研究所所长。

汤定元院士是我国半导体学科创始人之一、红外学科奠基者,长期从事固体物理、半导体光电子学、红外物理和器件研究,卓有成就。留美期间,发现金属铈的新颖相变首创的金刚石高压容器,现已发展成为高压物理研究的重要仪器。1951年回国后,长期从事半导体光电物理与器件的研制。作为新中国早期留美归国科学家,他率先开展半导体光电现象和硫化铅探测器的研究,并与黄昆、王守武、洪朝生等召开“全国性半导体讨论会”,举办“半导体短期讲习班”,翻译出版半导体物理学书籍,规划推动发展我国半导体科技事业发展,做出了重要贡献。

汤定元院士意识到红外技术对国家安全的重要性,领导并建立了我国红外研究的学科体系,曾任红外物理国家重点实验室学术委员会主任。领导并参与研制成功多种具有国际先进水平的光电器件和红外探测器,部分用于人造卫星、军民用高科技装备中,为我国“两弹一星”的研制作出了突出贡献。

他开创了窄禁带半导体的系统研究,以窄禁带半导体碲镉汞作为主攻方向,亲自组织窄禁带半导体物理基础研究,对材料、器件的技术攻关研究。在他的带领与指导下,对碲镉汞的多项基础研究成果被列入国际权威科学手册。